Изображение отсутствует
SiC MOSFET-транзисторы
IMBG65R015M2HXTMA1
Infineon
Цена не указана
Под заказ
Информация на сайте не является публичной офертой. Актуальные цены и сроки поставки уточняйте у менеджера, технические характеристики — в документации производителя.
Параметры
Характеристики
- Производитель
- Infineon
- Стиль монтажа
- SMD/SMT
- Корпус
- TO-263-7
- Полярность транзистора
- N-Channel
- Количество каналов
- 1 Channel
- Напряжение пробоя сток-исток
- 650 V
- Постоянный ток стока
- 115 A
- Сопротивление сток-исток
- 18 mOhms
- Напряжение затвор-исток
- - 7 V, + 23 V
- Пороговое напряжение затвор-исток
- 5.6 V
- Заряд затвора
- 79 nC
- Минимальная рабочая температура
- - 55 C
- Максимальная рабочая температура
- + 175 C
- Потери мощности (PD)
- 416 W
- Режим канала
- Enhancement
- Время спада
- 6.4 ns
- Упаковка
- MouseReel, 1000
- Время нарастания
- 14.7 ns
- Типичное время выключения
- 22 ns
- Типичное время включения
- 11.6 ns